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Electronic band structure of 4d and 5d transition metal trichalcogenides

机译:4d和5d过渡金属三卤化物的电子能带结构

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摘要

Transition metal trichalcogenides (TMTs), a family of van der Waalsmaterials, have gained increasing interests from the discovery of magnetism infew-layer forms. Although TMTs with 3d transition metal elements have beenstudied extensively, much less is explored for the 4d and 5d cases, where theinteresting interplay between electron correlations and the relativisticspin-orbit coupling is expected. Using ab initio calculations, we hereinvestigate the electronic property of TMTs with 4d and 5d transition metalelements. We show that the band structures exhibit multiple node-like featuresnear the Fermi level. These are the remnant of multiple Dirac cones that wererecently discovered in the monolayer cases. Our results indicate that thepeculiar two-dimensional multiple Dirac cones are concealed even in the layeredbulk systems.
机译:范德华斯材料家族的过渡金属三卤化钨(TMT),由于发现了磁层形式而受到越来越多的关注。尽管已经对具有3d过渡金属元素的TMT进行了广泛研究,但对于4d和5d情况却探索得很少,在4d和5d情况下,电子相关性和相对论自旋轨道耦合之间有趣的相互作用是可以预期的。使用从头算的方法,我们在这里研究了具有4d和5d过渡金属元素的TMT的电子性质。我们表明能带结构在费米能级附近表现出多个节点状特征。这些是最近在单层情况下发现的多个狄拉克锥的残留。我们的结果表明,即使在多层体系统中,特殊的二维多重狄拉克锥也被隐藏。

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